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Fab 36效益显现 AMD65纳米新制程量产 |
振华网 2006年12月11日 作者：阿亮 编辑：阿亮
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美商超微半导体 (AMD)公司日前正式宣布转移至65纳米制程技术，发表新一代高性能运算方案，且现已新版高性能AMD Athlon 64 X2双核心处理器，带来更上一层楼的每瓦性能以及更低的功耗。
转移至65纳米制程技术让AMD能在12吋晶圆 (wafer)上制造出更多处理器，不仅提高产能，更持续扩充运算性能与降低功耗。采用65纳米线宽 (line-widths)技术的AMD处理器，在同时执行多个应用程序时能发挥优异的性能，让业者能开发体积小巧的个人电脑，适合摆置在住家与办公室环境。
在2007年中，AMD的Fab 36晶圆厂将完全转移至65纳米技术。在快速转移至65纳米制程技术之下，AMD顺利扩充产能，因应全球市场对x86处理器持续攀升的需求。
AMD的65纳米制程技术，以AMD领先业界的90纳米高性能、低功耗绝缘层覆硅 (Silicon-on-Insulator，SOI)技术作为基础，充份发挥高性能、扩充性、以及省电性等方面的优势。转移至65纳米制程，将可以降低电路宽度，让AMD能在12吋晶圆上生产更多处理器，进而提高产能。因此，AMD能为顾客提供高产量以及功能强化的产品。AMD的65纳米处理器采用与IBM达成的技术协议，此项协议对AMD极有价值。
全球领先的技术顾问公司Semiconductor Insights (SI)，近期针对65纳米AMD Athlon 64 X2双核心处理器进行一项分析研究。在完成各项分析后，Semiconductor Insights决定颁给AMD 2006年的INSIGHT Award奖，此奖旨在表扬最创新的制程技术。
SI分析师Don Scansen 表示，我们对组件分析的结果，确认在AMD Fab 36晶圆厂所制造的65纳米AMD Athlon 64 X2双核心处理器，使用35纳米最小的闸极长度、9层铜金属与1层铝金属、应变型硅晶通道、以及绝缘层覆硅(SOI)基板。结合这些元素，它成为一种令人印象深刻的技术组件。
AMD通过持续晶体管改良 (Continuous Transistor Improvement，CTI)以及共享晶体管技术 (Shared Transistor Technology，STT)，积极推动晶体管的研发。CTI旨在持续改良晶体管，此持续改良，协助AMD维持顶尖的晶体管性能以及省电效率，同时能快速且顺利将最新科技投入量产。通过STT，AMD利用前一代最先进的晶体管作为起点，开发新一代的制程技术。此模式协助业者在新产品环境中，达到最高的晶体管可靠度与性能。
这种模式持续维持相当好的效果，快速推动晶体管技术的演进，并维持世界级的良率，AMD在产品性能与实时管理方面的领先优势就是最佳例证。
高性能AMD Athlon 64 X2双核心处理器带来更上一层楼的每瓦性能以及更低的功耗。AMD将继续发展65纳米制程，发展64位处理器技术，推出性能更高的处理器。新一代高性能处理器同样运用AMD Cool‘n’Quiet技术技术，让系统能配合处理器的使用状况，调整至所需要的性能水准。
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