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英特尔45nm工艺试制晶片成功通过OS运行测试

振华网 2007年01月31日作者：阿亮编辑：阿亮

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英特尔宣布利用45nm设计工艺试制成功了微处理器，经确认能够正常运行几种主要的OS。

　　英特尔此次试制的是代码为“Penryn”的微处理器，使用了嵌入有首枚试制晶片（First Silicon）的个人电脑主板，能够正常运行Windows Vista、Mac OS X、Windows XP、Linux，以及在这些OS上工作的应用软体。

　　英特尔在此之前宣布，将利用45nm工艺生产共计15个种类的伺服器和个人电脑用微处理器。目前，已有五个种类正在推进量产。美国的俄勒冈州“D1D”工厂、亚利桑那州“Fab32”工厂将从2007年下半年开始量产，以色列的“Fab28”工厂将从2008年上半年开始量产。

决定采用high-k和金属栅

　　英特尔表示在45nm工艺的电晶体中采用了high-k栅绝缘膜和金属栅。nMOS和pMOS均采用金属栅。英特尔创始人戈登·摩尔（Gordon Moore）就high-k和金属栅的组合表示，“这是自上世纪60年代后半叶出现的多晶硅栅以来，40年来的首次重大变革”。

　　该公司利用45nm工艺制造的电晶体与65nm工艺产品相比，开关驱动功率降低30％、开关速度提高20％。再加上通过采用high-k栅绝缘膜，栅极漏电流降到了1/10。

　　英特尔没有公开详细的材料构成。只表示high-k材料“采用了铪类材料”（英特尔）。nMOS和pMOS的金属栅的结构不同。因采用这两项技术而带来的制造成本上升“仅为几％”（英特尔）。

　　该公司计划在未来，以2年为单位更新制造工艺技术。2009年将采用32nm工艺，2011年将采用22nm工艺。