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AMD透露未来制程 45nm性能可提升20%

振华网 2007年08月06日作者：阿亮编辑：阿亮

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刚结束的AMD Technology Analyst Day 2007大会上，AMD制造部门资深副总裁Doug Grose透露了更多AMD未来制程技术方向。

Doug Grose表示，研发初期与IBM合作，透过IBM先进的制程技术可加速其研发速度，现时AMD正与IBM合作以浸没式微影技术、Ulta-Low-K、High-K及Metal Gate技术，制作45奈米及32奈米制程产品，并已为22奈米进行初期的研发工作。量产方面则采用FlexFab理念，除了自己所拥有的晶圆厂商外，还会交给Chartered、TSMC及UMC代工，多供货商政策将效分散AMD的风险，提升供货弹性。

Chartered现时正主力AMD代工90奈米处理器，其Chartered Fab 7晶圆厂己在提升制程技术，预计2007年下半年将提升至以生产65奈米产AMD处理器为主。TSMC将主力为AMD代工绘图芯片、芯片组及整合性芯片产品，去季已为AMD生产约2百万片晶圆，并预期将会于第四季以55奈米代工AMD绘图产品。

Doug Grose指出，AMD 45奈米技术可望于2008年下半年量产，透过Ultra-Low-K技术，效能进一步提升约20%，并保持相同的功耗水平。此外，AMD计划采用High-K/Meta Gate技术于第二代45奈米及新一代32奈米之中，进一步提升芯片频率及能效表现。