目前有消息表示，AMD将起诉韩国厂商三星。三星并不是侵犯了AMD的什么芯片专利，而是在内存以及其他芯片的制作流程和手段上使用了AMD的专利。这些专利包括了在金属-硅化物接触面上的氮化处理；第二层积体电路结构具有的补偿自感效应；以及具有平滑边界的绝缘栅场效应器件；内存突发读取模式；节电元件的内部测试方法；以及提供控制背景影片的方法。

（原文如下：Nitrogen Treatment for Metal-Silicide Contact; the second Integrated Circuit Structure having Compensating Means for Self Inductance Effects; Insulated Gate Field Effect Device with a Smoothly Curved Depletion Boundary in the Vicinity of the Channel-Free Zone; Memories with Burst Mode Access; and Power Saving Feature for Components Having Built-In Testing Logic; and Method and Apparatus for Providing Control of Background Video. ）

　　AMD是在三星的DRAM，SRAM，以及NAND闪存芯片上发现这些问题的。消息表示AMD早在2006年的4月份和三星就这些专利授权的问题展开过讨论。AMD当时送去了一份Powerpoint以详细解释如何将AMD的技术应用在新产品上。目前这些专利技术在三星的内存，手机，MP3，电视和打印机上都有使用。